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12月25日，据韩国媒体BusinessKorea报导，韩国半导体业界认为，受美国联合日本与荷兰对华进行半导体设备出口管制影响，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）所生产的DDR5的良率可能只有10%-20%，而非传闻的80%。
此前韩国媒体ZDNet Korea曾报导称，长鑫存储已经量产了DDR5内存芯片，并且已有多家DRAM模组厂商（金百达、光威）开始销售基于其DDR5芯片的DRAM模组。一位业内人士称，长鑫存储对客户公布的DRR5良率为80%。
由于目前只有三星、SK海力士、美光等少数DRAM厂商能够生产DDR5芯片，并且他们的良率大都在80%-90%，因此长鑫存储DDR5的良率如果能够达到80%，则说明其技术水平已经达到了接近一线存储品牌厂商的DDR5的良率水平。
但是，对于这种说法，BusinessKorea报导称，韩国半导体业界并不认同，认为长鑫存储的DDR5的实际良率可能只有10%-20%。
因为，早在2022年10月，美国就出台对华半导体限制政策，限制了中国大陆获取18nm及以下更先进制程的DRAM所需的制造设备。随后在2023年，日本和荷兰也跟进美国出台了类似的半导体设备出口管制政策。而在更早的2018年左右，美国就已经施压荷兰限制了EUV光刻机的对华出口。
虽然DRAM制造并不像先进逻辑芯片那样依赖于先进制程设备，但是要想提升存储密度、传输速率和生产良率，依然是需要用到相对先进的工艺节点和制造设备。而在先进半导体设备进口受限的情况下，长鑫存储DDR5良率的提升确实并不容易。
韩国半导体行业的一位高级官员表示，“美中冲突对我们来说是一个千载难逢的机会”，“我们必须将过时的半导体生产线转换为先进的产品，并在先进技术开发 （R&D） 方面进行有效投资，以扩大与中国的差距。”
韩国半导体产业协会（Korea Semiconductor Industry Association，KSIA）执行董事Ahn Ki-hyun认为，三星电子须尽快瞄准长鑫存储目前还无法挑战的市场，韩国企业也需快速转进第五代高频宽內存“HBM3E”或第六代的“HBM4”。
编辑：芯智讯-浪客剑配资炒股怎么